Memoria schimbării fazei

Această intrare referitoare la electronică este doar o schiță . Contribuiți la îmbunătățirea acestuia în conformitate cu convențiile Wikipedia .

Memoria de schimbare de fază (cunoscută și sub numele de memorie de schimbare de fază, PCM sau Ovonic Unified Memory, OUM) este un tip de memorie starea nevolatilă a solidului de nouă generație, al cărui material standard este un aliaj de calcogenură compus din germaniu (Ge), antimoniu (Sb) și Tellurium (Te) , numite GST (compoziția Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ ), capabile să schimbe faza (cristalină sau amorfă) într-un mod reversibil și controlat prin intermediul unui curent de programare care trece prin celulă care, prin încălzirea corectă a GST, induce schimbarea de fază.

Descriere

Utilizarea celor două faze diferite într-o memorie electronică digitală rezultă din observarea experimentală a unei rezistențe electrice scăzute pentru faza cristalină (logica 1) și a unei rezistențe electrice ridicate pentru cea amorfă (logica 0). Același material și același concept de stocare digitală a informațiilor au fost utilizate încă de la începutul anilor '90 în aplicațiile pentru discuri optice (CD și DVD), în care schimbarea de fază a materialului implică schimbarea locală a reflectivității.

În special, o regiune amorfă are o reflectivitate scăzută, în timp ce o regiune cristalină are o reflectivitate ridicată; scrierea fazelor se obține în acest caz prin încălzirea locală a materialului prin intermediul impulsurilor laser și citirea are loc prin intermediul impulsurilor laser de mică putere. PCM este cea mai promițătoare tehnologie de memorie non-volatilă, având în vedere problemele crescute de fiabilitate ale amintirilor flash , pe măsură ce tehnologia se amplifică.

În prezent, multe companii care își desfășoară activitatea în domeniul semiconductoarelor sunt implicate în cercetarea și dezvoltarea acestei tehnologii, inclusiv californianul Intel Corporation , coreeanul Samsung , italo-francezul STMicroelectronics , coreeanul Hynix Semiconductor și germanul Qimonda prin intermediul brevetelor Ovonyx . ^[1] În februarie 2008, Intel și STMicroelectronics au anunțat că au început să livreze primele prototipuri de memorie cu schimbare de fază de 128 Mbit. ^[2] În martie 2008, sa născut Numonyx , o companie multinațională care operează în sectorul memoriei nevolatile, declarând un angajament imens față de presiunea de a comercializa tehnologia PCM. Numonyx a fost achiziționat de Micron Technology în februarie 2010.

Notă

linkuri externe

• Amintiri PRAM, viitoarea alternativă la jetoanele Flash , pe hwupgrade.it .

Portal IT : accesați intrările Wikipedia care se ocupă cu IT