SRAM

Memorie SRAM

Diagrama unei celule de memorie cu 6 tranzistori

SRAM ( acronim pentru Static Random Access Memory ) este un tip de memorie RAM volatilă care nu necesită reîmprospătarea memoriei . Băncile de memorie SRAM permit păstrarea informațiilor pentru un timp teoretic infinit, au timp de citire redus și consum redus de energie, în special în condiții statice. Cu toate acestea, necesitatea de a utiliza multe componente pe celulă le face mai scumpe decât DRAM-urile .

Descriere

Celulele unui SRAM constau dintr-un circuit de feedback format din două invertoare logice ale căror ieșiri sunt conectate la ambele capete la liniile de date prin intermediul a două tranzistoare numite porți de transmisie. Perechile unice de porți de transmisie sunt activate în funcție de celula pe care urmează să se efectueze citirea sau scrierea. Atât bitul stocat, cât și negarea acestuia sunt puse la dispoziție pentru un control mai bun al marjelor de zgomot .

Acestea sunt de obicei utilizate pentru memoriile cache , unde viteza mare și consumul redus de energie sunt caracteristici fundamentale.

Comparație între RAM statică și RAM dinamică

Același subiect în detaliu: DRAM .

Atât RAM-urile statice, cât și cele dinamice sunt volatile în sensul că este necesară o putere continuă pentru a reține valorile de biți. O celulă de memorie dinamică este mai simplă și mai mică decât o celulă de memorie statică. Prin urmare, DRAM-urile sunt mai dense și mai puțin costisitoare, cu aceeași capacitate, în ciuda prezenței unor circuite suplimentare, necesare și suficiente, pentru reîmprospătarea periodică a RAM-ului. Pentru amintirile mari, costul acestor circuite este mai mult decât compensat de costul mai mic al celulei unice. Prin urmare, DRAM-urile tind să fie favorizate acolo unde sunt necesare capacități mari. Practic SRAM-urile sunt mai rapide decât DRAM-urile.

Familia de amintiri SRAM poate fi apoi împărțită în:

SRAM asincron ( SRAM asincron): funcționează asincron în ceea ce privește ceasul procesorului , aceasta implică stări de așteptare ale procesorului (starea de așteptare) pentru acces, este folosit ca o memorie cache de al doilea nivel;
sincronizare SRAM (sincron SRAM): funcționează în sincronie cu ceasul CPU , deci există timpi de așteptare reduși (sau anulați);
SRAM Burst conducte : Optimizat pentru exploziile de date.